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2025-10-28

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  目前,公司已形成拉晶、成型、抛光、清洗和外延五大工艺环节的核心技术体系,产品的晶体缺陷控制水平、低翘曲度、超平坦度、超清洁度和外延膜层形貌与电学性能等核心指标已与全球前五大厂商处于同一水平。公司产品已量产用于2YY层NAND Flash存储芯片、先进际代DRAM存储芯片和先进制程逻辑芯片;更先进制程NAND Flash存储芯片、更先进际代DRAM存储芯片以及更先进制程逻辑芯片的12英寸硅片均已经在主流客户验证。

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